Growth of large domain epitaxial graphene on the C-face of SiC

Controllable growth of vertically aligned graphene on C-face SiC

We investigated how to control the growth of vertically aligned graphene on C-face SiC by varying the processing conditions. It is found that, the growth rate scales with the annealing temperature and the graphene height is proportional to the annealing time. Temperature gradient and crystalline quality of the SiC substrates influence their vaporization. The partial vapor pressure is crucial as...

Properties of epitaxial graphene grown on C-face SiC compared to Si-face

Effects of aluminum on epitaxial graphene grown on C-face SiC

Tunable photoresponse of epitaxial graphene on SiC

We report photoresponse measurements from two comparable epitaxial graphene (EG) devices of different thicknesses (2-layer vs. 10-layer EG) made on SiC substrates. An asymmetric metal contact scheme was used in a planar configuration to form a Ti/EG/Pd junction. By moving the laser illumination across the junction, we observed an increased photocurrent signal resulting from local enhancement of...

the effect of consciousness raising (c-r) on the reduction of translational errors: a case study

در دوره های آموزش ترجمه استادان بیشتر سعی دارند دانشجویان را با انواع متون آشنا سازند، درحالی که کمتر به خطاهای مکرر آنان در متن ترجمه شده می پردازند. اهمیت تحقیق حاضر مبنی بر ارتکاب مکرر خطاهای ترجمانی حتی بعد از گذراندن دوره های تخصصی ترجمه از سوی دانشجویان است. هدف از آن تاکید بر خطاهای رایج میان دانشجویان مترجمی و کاهش این خطاها با افزایش آگاهی و هوشیاری دانشجویان از بروز آنها است.از آنجا ک...